NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.91kr
50-99
0.82kr
100+
0.72kr
+2164 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 194
Minimum: 10

NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorström: 25mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 450 MHz. Funktion: "IF och VHF tjock- och tunnfilmskrets". Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 25mA. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: G1*. Obs: screentryck/SMD-kod G1p, G1t, G1W. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFS20
23 parametrar
Kollektorström
25mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
20V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
450 MHz
Funktion
"IF och VHF tjock- och tunnfilmskrets"
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
25mA
Max hFE-förstärkning
140
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
G1*
Obs
screentryck/SMD-kod G1p, G1t, G1W
Pd (effektförlust, max)
200mW
RoHS
ja
Typ av transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc
Minsta kvantitet
10