NPN-transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

NPN-transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.79kr
5-49
2.02kr
50-99
1.81kr
100+
1.61kr
+3314 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 1660

NPN-transistor BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorström: 35mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Halvledarmaterial: kisel. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: R2. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Spec info: SMD R2. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFR93A
24 parametrar
Kollektorström
35mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
12V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
6GHz
Funktion
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Halvledarmaterial
kisel
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
3000
Max hFE-förstärkning
90
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
R2
Pd (effektförlust, max)
0.3W
Spec info
SMD R2
Typ av transistor
NPN
Vcbo
15V
Vebo
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors