NPN-transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.73kr
5-49
3.89kr
50-99
3.40kr
100-199
3.08kr
200+
2.62kr
| Antal i lager: 65 |
NPN-transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorström: 80mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. BE-diod: nej. C(tum): 0.9pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 0.28pF. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: RC. Pd (effektförlust, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod RC. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31
BFP193E6327
25 parametrar
Kollektorström
80mA
Hölje
SOT-143
Hölje (enligt datablad)
SOT-143
Kollektor-/emitterspänning Vceo
12V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
BE-diod
nej
C(tum)
0.9pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
8GHz
Funktion
UHF wideband transistor
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
0.28pF
Max hFE-förstärkning
140
Minsta hFE-förstärkning
70
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
RC
Pd (effektförlust, max)
580mW (total 380mW)
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod RC
Typ av transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies