NPN-transistor BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

NPN-transistor BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.01kr
5-49
6.41kr
50-99
5.48kr
100-199
4.98kr
200+
4.27kr
Antal i lager: 95

NPN-transistor BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. BE-diod: nej. C(tum): 1.3pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 0.7pF. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: V3%. Pd (effektförlust, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod V3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFG67
25 parametrar
Kollektorström
50mA
Hölje
SOT-143
Hölje (enligt datablad)
SOT-143B
Kollektor-/emitterspänning Vceo
10V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
BE-diod
nej
C(tum)
1.3pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-60...+150°C
FT
8GHz
Funktion
UHF wideband transistor
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
0.7pF
Max hFE-förstärkning
100
Minsta hFE-förstärkning
60
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
V3%
Pd (effektförlust, max)
300mW (total 380mW)
RoHS
ja
Spec info
screentryck/CMS-kod V3
Typ av transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors