NPN-transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorström: 200mA. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 7GHz. Funktion: För VHF/UHF-antennförstärkare och RF-kommunikationstillämpningar. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 0.7pF. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31