NPN-transistor BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

NPN-transistor BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
4.14kr
5-24
3.49kr
25-49
3.00kr
50-99
2.59kr
100+
2.11kr
+3788 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 41

NPN-transistor BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Hölje: TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 25V. Kollektorström: 100mA. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Ansökningar: RF-POWER. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 25uA. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. FT: 1100 MHz. Frekvens: 550MHz. Funktion: TV-IF. Gränsfrekvens ft [MHz]: 750 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Komponentfamilj: NPN -transistor med hög frekvens. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 3.5pF. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 400MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 350mW. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 40V. Teknik: Planar epitaxial transistor. Tillverkarens märkning: BF199. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BF199
37 parametrar
Hölje
TO-92
Collector-Emitter Voltage VCEO
25V
Kollektorström
100mA
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
25V
Ansökningar
RF-POWER
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
25uA
Driftstemperatur
-55°C till +150°C
FT
1100 MHz
Frekvens
550MHz
Funktion
TV-IF
Gränsfrekvens ft [MHz]
750 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
25V
Komponentfamilj
NPN -transistor med hög frekvens
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
3.5pF
Max temperatur
+150°C.
Maxfrekvens
400MHz
Maximal förlust Ptot [W]
0.35W
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
350mW
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
40V
Teknik
Planar epitaxial transistor
Tillverkarens märkning
BF199
Typ av transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil