NPN-transistor BDX53C, TO-220, 8A, 100V, 8A, TO-220AB, 100V

NPN-transistor BDX53C, TO-220, 8A, 100V, 8A, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
7.86kr
5-24
6.52kr
25-49
5.71kr
50-99
5.19kr
100+
4.42kr
+292 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 85

NPN-transistor BDX53C, TO-220, 8A, 100V, 8A, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 150 Ohms. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 8A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 60W. FT: 20 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 12A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 20MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Minsta hFE-förstärkning: 750. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd B: 10k Ohms. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Nuvarande Max 1: 8A. Obs: komplementär transistor (par) BDX54C. Pd (effektförlust, max): 60W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BDX53. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Teknik: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BDX53C. Typ av transistor: NPN. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BDX53C
52 parametrar
Hölje
TO-220
Kollektorström
8A
Collector-Emitter Voltage VCEO
100V
Samlarström Ic [A], max.
8A
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
150 Ohms
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
8A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
750
Darlington-transistor?
ja
Effekt
60W
FT
20 MHz
Funktion
ljudförstärkare
Få hfe
750
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
12A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
50
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maxfrekvens
20MHz
Maximal förlust Ptot [W]
60W
Minsta hFE-förstärkning
750
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd B
10k Ohms
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Nuvarande Max 1
8A
Obs
komplementär transistor (par) BDX54C
Pd (effektförlust, max)
60W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BDX53
Spec info
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Teknik
Komplementära krafttransistorer från Darlington
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BDX53C
Typ av transistor
NPN
Typ
Darlington transistor
VCBO med kollektorbas
100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics