NPN-transistor BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V

NPN-transistor BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.03kr
5-24
7.87kr
25-49
6.94kr
50-99
6.16kr
100+
5.12kr
+96 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 97

NPN-transistor BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 10A. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 150 Ohms. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 10A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 70W. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Inbyggd diod: ja. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 750. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 20MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd B: 10k Ohms. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Nuvarande Max 1: 10A. Pd (effektförlust, max): 70W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BDX33. Spec info: komplementär transistor (par) BDX34C. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BDX33C. Typ av transistor: NPN. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BDX33C
51 parametrar
Hölje
TO-220
Collector-Emitter Voltage VCEO
100V
Kollektorström
10A
Samlarström Ic [A], max.
10A
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
150 Ohms
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
10A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
750
Darlington-transistor?
ja
Effekt
70W
FT
20 MHz
Funktion
10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2)
Få hfe
750
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Inbyggd diod
ja
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
750
Max temperatur
+150°C.
Maxfrekvens
20MHz
Maximal förlust Ptot [W]
70W
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd B
10k Ohms
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.5V
Nuvarande Max 1
10A
Pd (effektförlust, max)
70W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BDX33
Spec info
komplementär transistor (par) BDX34C
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BDX33C
Typ av transistor
NPN
Typ
Darlington transistor
VCBO med kollektorbas
100V
Vcbo
100V
Vebo
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics