NPN-transistor BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

NPN-transistor BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.67kr
5-24
10.61kr
25-49
9.44kr
50-99
8.41kr
100+
7.15kr
+502 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 134

NPN-transistor BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 12A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 12A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Darlington-transistor?: ja. Dielektrisk struktur: Darlington transistor. Effekt: 80W. FT: 20 MHz. Funktion: komplementär transistor (par) BDW94C. Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 20000. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Nuvarande Max 1: 12A. Pd (effektförlust, max): 80W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BDW93. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BDW93C. Typ av transistor: NPN. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:30

Teknisk dokumentation (PDF)
BDW93C
48 parametrar
Hölje
TO-220
Kollektorström
12A
Collector-Emitter Voltage VCEO
100V
Samlarström Ic [A], max.
12A
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
12A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
100
Darlington-transistor?
ja
Dielektrisk struktur
Darlington transistor
Effekt
80W
FT
20 MHz
Funktion
komplementär transistor (par) BDW94C
Få hfe
750
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
20000
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
80W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
3V
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Nuvarande Max 1
12A
Pd (effektförlust, max)
80W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BDW93
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BDW93C
Typ av transistor
NPN
Typ
Darlington transistor
VCBO med kollektorbas
100V
Vcbo
100V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics