NPN-transistor BD911, TO-220, 15A, 100V, 15A, TO-220, 100V

NPN-transistor BD911, TO-220, 15A, 100V, 15A, TO-220, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.12kr
5-24
9.70kr
25-49
8.61kr
50-99
7.73kr
100+
6.61kr
+837 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 48

NPN-transistor BD911, TO-220, 15A, 100V, 15A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 15A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 3MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 15A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 5. Effekt: 90W. FT: 3 MHz. Frekvens: 3MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 250. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Nuvarande Max 1: 15A. Pd (effektförlust, max): 90W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD. Spec info: komplementär transistor (par) BD912. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BD911. Typ av transistor: NPN. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BD911
47 parametrar
Hölje
TO-220
Kollektorström
15A
Collector-Emitter Voltage VCEO
100V
Samlarström Ic [A], max.
15A
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
3MHz
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
15A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
5
Effekt
90W
FT
3 MHz
Frekvens
3MHz
Funktion
Power Linear och Switching
Gränsfrekvens ft [MHz]
3 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
250
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
90W
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Nuvarande Max 1
15A
Pd (effektförlust, max)
90W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BD
Spec info
komplementär transistor (par) BD912
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BD911
Typ av transistor
NPN
Typ
Effekt
VCBO med kollektorbas
100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BD911