NPN-transistor BD809G, TO-220, 10A. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: BD809G. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:25