NPN-transistor BD681G, TO-225, 4A

NPN-transistor BD681G, TO-225, 4A

Kvantitet
Enhetspris
1+
6.60kr
Antal i lager: 239

NPN-transistor BD681G, TO-225, 4A. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: BD681G. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:32

Teknisk dokumentation (PDF)
BD681G
12 parametrar
Hölje
TO-225
Samlarström Ic [A], max.
4A
Antal terminaler
3
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-225
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
40W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
BD681G
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi