NPN-transistor BD679, TO-126, 80V, 4A. Hölje: TO-126. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 4A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Effekt: 40W. Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Montering/installation: THT. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Nuvarande Max 1: 4A. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD679. Spänning (Collector - Emitter): 80V. Tillverkarens märkning: BD679. Typ av transistor: Darlington transistor. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 80V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:25