NPN-transistor BD649, TO-220AB, 8A
Kvantitet
Enhetspris
1+
13.76kr
| +5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 73 |
NPN-transistor BD649, TO-220AB, 8A. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: BD649. Originalprodukt från tillverkaren: Bourns. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:52
BD649
12 parametrar
Hölje
TO-220AB
Samlarström Ic [A], max.
8A
Antal terminaler
3
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
120V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
62.5W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
BD649
Originalprodukt från tillverkaren
Bourns