NPN-transistor BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

NPN-transistor BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
6.76kr
5-24
5.54kr
25-49
4.81kr
50-99
4.33kr
100+
3.64kr
+532 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 416

NPN-transistor BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 2A. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 2A. Driftstemperatur: -...+150°C. Effekt: 30W. FT: 3 MHz. Frekvens: 3MHz. Funktion: NF-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 4A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 40. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Minsta hFE-förstärkning: 15. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD240C. Spänning (Collector - Emitter): 115V. Tillverkarens märkning: BD239C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BD239C
39 parametrar
Hölje
TO-220
Collector-Emitter Voltage VCEO
100V
Kollektorström
2A
Samlarström Ic [A], max.
2A
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
115V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
2A
Driftstemperatur
-...+150°C
Effekt
30W
FT
3 MHz
Frekvens
3MHz
Funktion
NF-L
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
4A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
40
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
30W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.7V
Minsta hFE-förstärkning
15
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
30W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BD240C
Spänning (Collector - Emitter)
115V
Tillverkarens märkning
BD239C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics