NPN-transistor BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 3MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 2A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Effekt: 25W. FT: 3 MHz. Frekvens: 3MHz. Funktion: NF-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 6A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 40. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): -. Nuvarande Max 1: 2A. Pd (effektförlust, max): 25W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Tillverkarens märkning: BD237. Typ av transistor: NPN. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24