NPN-transistor BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V

NPN-transistor BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.13kr
5-9
4.27kr
10-24
3.74kr
25-49
3.39kr
50+
2.89kr
+1881 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 346

NPN-transistor BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 1.5A. Effekt: 12W. FT: 50 MHz. Frekvens: 50MHz. Funktion: NF-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 3A. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 250. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 50MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Minsta hFE-förstärkning: 63. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): -. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD140. Spänning (Collector - Emitter): 80V. Tillverkarens märkning: BD139. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BD139
40 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
80V
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorström
1.5A
Samlarström Ic [A], max.
1.5A
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
1.5A
Effekt
12W
FT
50 MHz
Frekvens
50MHz
Funktion
NF-L
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
3A
Kapsling (JEDEC-standard)
SOT-32
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
80V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
50
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
250
Max temperatur
+150°C.
Maxfrekvens
50MHz
Maximal förlust Ptot [W]
12.5W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.5V
Minsta hFE-förstärkning
63
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
12.5W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BD140
Spänning (Collector - Emitter)
80V
Tillverkarens märkning
BD139
Typ av transistor
NPN
Vcbo
80V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics