NPN-transistor BD139-10, TO-126, 1.5A

NPN-transistor BD139-10, TO-126, 1.5A

Kvantitet
Enhetspris
1-49
6.88kr
50+
4.34kr
Antal i lager: 2737

NPN-transistor BD139-10, TO-126, 1.5A. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: BD139-10. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:25

Teknisk dokumentation (PDF)
BD139-10
12 parametrar
Hölje
TO-126
Samlarström Ic [A], max.
1.5A
Antal terminaler
3
Kapsling (JEDEC-standard)
SOT-32
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
80V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
12.5W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
BD139-10
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics