NPN-transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

NPN-transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.24kr
5-49
1.87kr
50-99
1.63kr
100-199
1.48kr
200+
1.27kr
Antal i lager: 226

NPN-transistor BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...150°C. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer och växling. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1A. Kostnad): 12pF. Max hFE-förstärkning: 63. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: EKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Spec info: komplementär transistor (par) BCX42. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BCX41E6327
24 parametrar
Kollektorström
0.8A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Kollektor-/emitterspänning Vceo
125V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...150°C
FT
100 MHz
Funktion
NPN-transistor, AF-applikationer och växling
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1A
Kostnad)
12pF
Max hFE-förstärkning
63
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.9V
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
EKs
Pd (effektförlust, max)
0.33W
Spec info
komplementär transistor (par) BCX42
Typ av transistor
NPN
Vcbo
125V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies