NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.77kr
50-99
0.67kr
100-199
0.60kr
200+
0.51kr
+2817 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2092
Minimum: 10

NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 500mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 10k Ohms. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd B: 10k Ohms. Märkning på höljet: XCs. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod XCs. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BCR533
26 parametrar
Kollektorström
500mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
10k Ohms
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
100 MHz
Funktion
Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd
Halvledarmaterial
kisel
Minsta hFE-förstärkning
70
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Motstånd B
10k Ohms
Märkning på höljet
XCs
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.33W
RoHS
ja
Spec info
screentryck/CMS-kod XCs
Typ av transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies
Minsta kvantitet
10