NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

Kvantitet
Enhetspris
1-99
3.13kr
100+
2.26kr
+800 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 1468

NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Hölje: SOT-223. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Antal terminaler: 3. Bandbredd MHz: 130MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Effekt: 1.5W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Monteringstyp: SMD. Nuvarande Max 1: 1A. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Serie: BCP. Tillverkarens märkning: BH. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: 100V. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:48

Teknisk dokumentation (PDF)
BCP56T1G
23 parametrar
Hölje
SOT-223
Collector-Emitter Voltage VCEO
80V
Samlarström Ic [A], max.
1A
Antal terminaler
3
Bandbredd MHz
130MHz
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Effekt
1.5W
Gränsfrekvens ft [MHz]
130 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-261
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
80V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
1.5W
Monteringstyp
SMD
Nuvarande Max 1
1A
Polaritet
NPN
RoHS
ja
Serie
BCP
Tillverkarens märkning
BH
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
100V
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi