NPN-transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

NPN-transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

Kvantitet
Enhetspris
10-24
0.54kr
25-99
0.40kr
100-249
0.35kr
250-499
0.32kr
500+
0.25kr
+14600 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 2462
Minimum: 10

NPN-transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 100mA. Effekt: 200mW. FT: 100 MHz. Frekvens: 100MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 4.5pF. Max hFE-förstärkning: 800. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Minsta hFE-förstärkning: 250. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Pd (effektförlust, max): 0.225W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 1G. Spänning (Collector - Emitter): 45V. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC847C
29 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektorström
0.1A
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Kollektor-/emitterspänning Vceo
45V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
100mA
Effekt
200mW
FT
100 MHz
Frekvens
100MHz
Funktion
allmänt syfte
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
4.5pF
Max hFE-förstärkning
800
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.6V
Minsta hFE-förstärkning
250
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.25V
Pd (effektförlust, max)
0.225W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod 1G
Spänning (Collector - Emitter)
45V
Typ av transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Minsta kvantitet
10