| +2500 rapidement | |
| Obsolete | |
| Out of stock | |
| Replacement | |
| Notif | |
| 12 in stock | |
| x2 |
NPN-transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V
Kvantitet
Enhetspris
10-99
0.59kr
100-199
0.52kr
200-499
0.46kr
500+
0.38kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 237 |
NPN-transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 150 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Kostnad): 6pF. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Teknik: Planar epitaxial transistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Lge Technology. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34
BC546C
25 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
65V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
150 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
800
Minsta hFE-förstärkning
420
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.25V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
RoHS
ja
Teknik
Planar epitaxial transistor
Typ av transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Lge Technology
Minsta kvantitet
10