NPN-transistor BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V

NPN-transistor BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V

Kvantitet
Enhetspris
10-99
0.53kr
100-199
0.46kr
200-499
0.41kr
500+
0.33kr
+34233 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 980
Minimum: 10

NPN-transistor BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V. Hölje: TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 300MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 100mA, 0.1A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Effekt: 0.5W. FT: 100 MHz. Frekvens: 300MHz. Förpackning: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 0.2A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konditionering: -. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 6pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 450. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Nuvarande Max 1: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC556B. Spänning (Collector - Emitter): 65V. Teknik: Planar epitaxial transistor. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BC546B. Typ av transistor: NPN. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: 80V. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC546B
49 parametrar
Hölje
TO-92
Collector-Emitter Voltage VCEO
65V
Samlarström Ic [A], max.
100mA
Kollektorström
0.1A
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
65V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
300MHz
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
100mA, 0.1A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Effekt
0.5W
FT
100 MHz
Frekvens
300MHz
Gränsfrekvens ft [MHz]
300 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
0.2A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
65V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
450
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.5W
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.09V
Nuvarande Max 1
0.1A
Pd (effektförlust, max)
0.5W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC556B
Spänning (Collector - Emitter)
65V
Teknik
Planar epitaxial transistor
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BC546B
Typ av transistor
NPN
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
80V
Vcbo
80V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil
Minsta kvantitet
10