NPN-transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V

NPN-transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.64kr
50-99
0.56kr
100-199
0.50kr
200+
0.43kr
+20364 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 3784
Minimum: 10

NPN-transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V. Hölje: TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Kollektorström: 0.8A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 100MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 800mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 170. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Få hfe: 400. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 12pF. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 630. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Minsta hFE-förstärkning: 250. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Nuvarande Max 1: 0.8A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BC. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. Spänning (Collector - Emitter): 45V. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Tillverkarens märkning: BC337-40. Typ av transistor: NPN. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: 50V. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC337-40
51 parametrar
Hölje
TO-92
Collector-Emitter Voltage VCEO
45V
Samlarström Ic [A], max.
800mA
Kollektorström
0.8A
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
45V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
100MHz
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
800mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
170
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
100 MHz
Funktion
allmänt syfte
Få hfe
400
Gränsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
45V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
12pF
Max hFE-förstärkning
630
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Minsta hFE-förstärkning
250
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.7V
Nuvarande Max 1
0.8A
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BC
Spec info
komplementär transistor (par) BC327-40
Spänning (Collector - Emitter)
45V
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Tillverkarens märkning
BC337-40
Typ av transistor
NPN
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
50V
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10