NPN-transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -50...+150°C. FT: 140 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: D667. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Obs: 9mm. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB647. Teknik: Silicon NPN Epitaxial. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Hitachi. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:24