NPN-transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

NPN-transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
51.53kr
5-24
48.94kr
25-49
46.50kr
50+
43.70kr
Antal i lager: 8

NPN-transistor 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 1A. Effekt: 8W. FT: 130 MHz. Frekvens: 130MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Pd (effektförlust, max): 8W. Polaritet: bipolär. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB631K. Spänning (Collector - Emitter): 120V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:24

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD600K
28 parametrar
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorström
1A
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
120V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Collector Current IC [A]
1A
Effekt
8W
FT
130 MHz
Frekvens
130MHz
Funktion
Lågfrekvent effektförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Max hFE-förstärkning
320
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.15V
Pd (effektförlust, max)
8W
Polaritet
bipolär
Spec info
komplementär transistor (par) 2SB631K
Spänning (Collector - Emitter)
120V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
100 ns
Tf(min)
100 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo