NPN-transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

NPN-transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.46kr
5-24
12.28kr
25-49
10.79kr
50+
9.69kr
+2 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 19

NPN-transistor 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Kollektorström: 3A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. FT: 8 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: -.. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: -. Typ av transistor: NPN. Originalprodukt från tillverkaren: Inchange Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD2061
20 parametrar
Hölje
TO-220
Samlarström Ic [A], max.
3A
Kollektorström
3A
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
FT
8 MHz
Funktion
isolerad pakettransistor
Halvledarmaterial
kisel
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
80V/60V
Komponentfamilj
Npn bipolär transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Maximal förlust Ptot [W]
30W
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
30W
RoHS
nej
Typ av transistor
NPN
Originalprodukt från tillverkaren
Inchange Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SD2061