NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
38.73kr
5-9
33.53kr
10-24
30.13kr
25-49
27.85kr
50+
24.95kr
Antal i lager: 3

NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. FT: 180 MHz. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 12A. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 35. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1204. Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Temperatur: +150°C. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1804
24 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
FT
180 MHz
Funktion
High-Current Switching, låg mättnad spänning
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
12A
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
35
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
20W
Spec info
komplementär transistor (par) 2SB1204
Teknik
"Epitaxiala plana kiseltransistorer"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
20 ns
Tf(min)
20 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo