NPN-transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

NPN-transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.08kr
5-9
3.85kr
10-24
3.25kr
25+
2.90kr
Antal i lager: 850

NPN-transistor 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: +55...+150°C. FT: 150 MHz. Funktion: bipolär transistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: DAQ. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod DAQ. Teknik: Epitaxiell plan typ. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ROHM. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1664Q
26 parametrar
Kollektorström
1A
Hölje
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hölje (enligt datablad)
SOT-89
Kollektor-/emitterspänning Vceo
32V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
+55...+150°C
FT
150 MHz
Funktion
bipolär transistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
1000
Max hFE-förstärkning
270
Minsta hFE-förstärkning
120
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
DAQ
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.15V
Pd (effektförlust, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod DAQ
Teknik
Epitaxiell plan typ
Typ av transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ROHM