NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.34kr
5-24
11.07kr
25-49
9.64kr
50-99
8.75kr
100+
7.49kr
Antal i lager: 57

NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 4A. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: DF. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Obs: komplementär transistor (par) 2SB1123S. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod DF. Teknik: "Epitaxiell plan kiseltransistor". Temperatur: +150°C. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 07:46

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1623S
29 parametrar
Kollektorström
2A
Hölje
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Hölje (enligt datablad)
SOT-89
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
150 MHz
Funktion
High-Current Switching, låg mättnad spänning
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
4A
Max hFE-förstärkning
280
Minsta hFE-förstärkning
140
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
DF
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.5V
Obs
komplementär transistor (par) 2SB1123S
Pd (effektförlust, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod DF
Teknik
"Epitaxiell plan kiseltransistor"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
30 ns
Tf(min)
30 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor