NPN-transistor 2SD1279, TO-3, 10A. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 600V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: 2SD1279. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 14:59