NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.46kr
5-9
7.82kr
10-24
6.78kr
25-49
6.13kr
50+
5.21kr
Antal i lager: 17

NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 150 MHz. Funktion: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 4A. Kostnad): 12pF. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB892. Teknik: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1207
24 parametrar
Hölje
TO-92
Kollektorström
2A
Hölje (enligt datablad)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
150 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
4A
Kostnad)
12pF
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.15V
Pd (effektförlust, max)
1W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SB892
Teknik
"Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor"
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo