NPN-transistor 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

NPN-transistor 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.03kr
5-24
11.96kr
25-49
10.60kr
50+
8.99kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 10

NPN-transistor 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: 10 MHz. Funktion: höghastighetsväxelriktare, omvandlare, låg-sat. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: D1062. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB826. Temperatur: +150°C. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SD1062
24 parametrar
Kollektorström
12A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
10 MHz
Funktion
höghastighetsväxelriktare, omvandlare, låg-sat
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Max hFE-förstärkning
280
Minsta hFE-förstärkning
70
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
D1062
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
40W
Spec info
komplementär transistor (par) 2SB826
Temperatur
+150°C
Tf(max)
1.2us
Tf(min)
0.4us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SD1062