NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
130.63kr
5-9
120.01kr
10-24
114.05kr
25-49
107.24kr
50+
98.90kr
Antal i lager: 1

NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorström: 23A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): 2-21F2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Darlington-transistor?: nej. FT: 2 MHz. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning, HD-TV. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 46A. Max hFE-förstärkning: 55. Minsta hFE-förstärkning: 4.5. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 210W. RoHS: ja. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5859
25 parametrar
Kollektorström
23A
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
2-21F2A
Kollektor-/emitterspänning Vceo
750V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Darlington-transistor?
nej
FT
2 MHz
Funktion
För högupplöst horisontell avböjning, HD-TV
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
46A
Max hFE-förstärkning
55
Minsta hFE-förstärkning
4.5
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
3V
Pd (effektförlust, max)
210W
RoHS
ja
Teknik
"Trippeldiffuserad MESA-typ"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.15us
Tf(min)
0.1us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1700V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba