NPN-transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

NPN-transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.75kr
5-24
10.31kr
25-49
9.26kr
50-99
8.00kr
100+
6.22kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 890

NPN-transistor 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 11A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 100dB. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5707. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040. Temperatur: +150°C. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5707
28 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
330 MHz
Funktion
DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
11A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
100dB
Max hFE-förstärkning
560
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C5707
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.11V
Pd (effektförlust, max)
15W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA2040
Temperatur
+150°C
Tf(max)
25 ns
Tf(min)
25 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
80V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC5707