NPN-transistor 2SC5706-E, TO-251, 7.5A

NPN-transistor 2SC5706-E, TO-251, 7.5A

Kvantitet
Enhetspris
1+
29.03kr
Antal i lager: 99

NPN-transistor 2SC5706-E, TO-251, 7.5A. Hölje: TO-251. Samlarström Ic [A], max.: 7.5A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: -.. Maximal förlust Ptot [W]: 15W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: -. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:55

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5706-E
10 parametrar
Hölje
TO-251
Samlarström Ic [A], max.
7.5A
Antal terminaler
3
Gränsfrekvens ft [MHz]
400 MHz
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
50V
Komponentfamilj
Npn bipolär transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Maximal förlust Ptot [W]
15W
RoHS
ja
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi