NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
60.30kr
5-9
54.82kr
10-24
50.76kr
25-49
47.44kr
50+
43.04kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 5

NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-motstånd: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: nej. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 36A. Max hFE-förstärkning: 11. Minsta hFE-förstärkning: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5696. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Sanyo. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5696
27 parametrar
Kollektorström
12A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
TO-3PMLH
Kollektor-/emitterspänning Vceo
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-motstånd
ja
CE-diod
ja
Darlington-transistor?
nej
FT
kHz
Funktion
Hög hastighet
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
36A
Max hFE-förstärkning
11
Minsta hFE-förstärkning
3
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C5696
Mättnadsspänning VCE(lat)
3V
Pd (effektförlust, max)
85W
RoHS
ja
Teknik
"Trippeldiffuserad plan kiseltransistor"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Sanyo

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC5696