NPN-transistor 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

NPN-transistor 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
53.06kr
5-9
49.58kr
10-29
46.77kr
30-59
44.20kr
60+
39.19kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 17

NPN-transistor 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 4.3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5386. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR Hi-res. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5386
28 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
TO-3PF
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
1.7 MHz
Funktion
High Switching, Horizontal Deflection out
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
16A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Max hFE-förstärkning
35
Minsta hFE-förstärkning
4.3
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C5386
Mättnadsspänning VCE(lat)
3V
Pd (effektförlust, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
MONITOR Hi-res
Teknik
"Trippeldiffuserad MESA-typ"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC5386