NPN-transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

NPN-transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.97kr
5-9
32.54kr
10-24
30.12kr
25-49
27.94kr
50+
25.33kr
Antal i lager: 75

NPN-transistor 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 170pF. Max hFE-förstärkning: 160. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5198 O. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1941. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5198-TOS
27 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
2-16C1B
Kollektor-/emitterspänning Vceo
140V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
30 MHz
Funktion
HI-FI effektförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Kostnad)
170pF
Max hFE-förstärkning
160
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2V
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C5198 O
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
100W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA1941
Teknik
"Trippeldiffuserad plan transistor"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba