NPN-transistor 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Darlington-transistor?: nej. FT: 2 MHz. Funktion: snabb drift, för horisontell avböjning (TV). Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5149. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12