NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
52.52kr
5-24
47.40kr
25-49
43.42kr
50+
41.38kr
Antal i lager: 22

NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: 2 MHz. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 8. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Pd (effektförlust, max): 50W. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5148
23 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
2-16E3A
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
2 MHz
Funktion
Horizontal Deflection Output, high speed Switch
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
16A
Max hFE-förstärkning
25
Minsta hFE-förstärkning
8
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
5V
Pd (effektförlust, max)
50W
Teknik
"Trippeldiffuserad MESA-typ"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba