NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.22kr
5-24
25.40kr
25-49
22.67kr
50+
19.94kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 106

NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 20A. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C5129. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: falltid 0.15..03us (64kHz). Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:12

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC5129
27 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
2-16E3A
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
CE-diod
ja
FT
1.7 MHz
Funktion
MONITOR HA,Hi-res
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
20A
Max hFE-förstärkning
30
Minsta hFE-förstärkning
10
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C5129
Mättnadsspänning VCE(lat)
3V
Pd (effektförlust, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
falltid 0.15..03us (64kHz)
Teknik
"Trippeldiffuserad MESA-typ"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2SC5129