NPN-transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

NPN-transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.20kr
5-24
16.84kr
25-49
15.16kr
50+
13.72kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 3

NPN-transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. FT: 120 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 8A. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C3303. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 20W. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC3303
24 parametrar
Kollektorström
5A
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
FT
120 MHz
Funktion
Höghastighetsomkoppling
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
8A
Max hFE-förstärkning
240
Minsta hFE-förstärkning
70
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C3303
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Pd (effektförlust, max)
20W
Teknik
"Epitaxial Type (PCT Process)"
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.1us
Tf(min)
0.1us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba