NPN-transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN-transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
22.07kr
5-24
18.23kr
25-49
16.45kr
50+
14.87kr
Antal i lager: 22

NPN-transistor 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. FT: 120 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: C3074. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Obs: komplementär transistor (par) 2SA1244. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Teknik: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13

Teknisk dokumentation (PDF)
2SC3074-Y
24 parametrar
Kollektorström
5A
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
FT
120 MHz
Funktion
Högströmsväxling
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
240
Minsta hFE-förstärkning
70
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
C3074
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.2V
Obs
komplementär transistor (par) 2SA1244
Pd (effektförlust, max)
20W
RoHS
ja
Spec info
Lo-sat--Vce(sat)--0.2V
Teknik
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Toshiba