NPN-transistor 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: DG. Mättnadsspänning VCE(lat): 300mV. Obs: screentryck/SMD-kod DG. Pd (effektförlust, max): 150mW. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1163. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13