| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 10 |
NPN-transistor 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.33kr
5-24
13.69kr
25-49
11.90kr
50-99
10.82kr
100+
9.25kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 85 |
NPN-transistor 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2.5A. Kostnad): 19pF. Max hFE-förstärkning: 320. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Minsta hFE-förstärkning: 160. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: C2690A Y. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1220A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:13
2SC2690A
24 parametrar
Kollektorström
1.2A
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
160V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
155 MHz
Funktion
HF
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2.5A
Kostnad)
19pF
Max hFE-förstärkning
320
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.7V
Minsta hFE-förstärkning
160
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
C2690A Y
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
20W
Spec info
komplementär transistor (par) 2SA1220A
Typ av transistor
NPN
Vcbo
160V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor