NPN-transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

NPN-transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
95.09kr
5-24
85.01kr
25-49
78.20kr
50-99
72.94kr
100+
64.87kr
Antal i lager: 145

NPN-transistor 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: 4 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 50A. Kostnad): 500pF. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5884. Temperatur: +200°C. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5886
27 parametrar
Kollektorström
25A
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+200°C
FT
4 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
50A
Kostnad)
500pF
Max hFE-förstärkning
100
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Pd (effektförlust, max)
200W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) 2N5884
Temperatur
+200°C
Tf(max)
0.8us
Tf(min)
0.8us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor