NPN-transistor 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V

NPN-transistor 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.83kr
50-99
0.73kr
100-199
0.65kr
200+
0.54kr
+6404 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 1183
Minimum: 10

NPN-transistor 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 600mA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 100 MHz. Frekvens: 100MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Förpackning: Ammo Pack. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 6pF. Max hFE-förstärkning: 250. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 160V. Tillverkarens märkning: 2N5551. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5551
42 parametrar
Hölje
TO-92
Samlarström Ic [A], max.
600mA
Kollektorström
0.6A
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
160V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
600mA
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
100 MHz
Frekvens
100MHz
Funktion
VIDEO förstärkare.
Förpackning
Ammo Pack
Gränsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-226AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
160V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
6pF
Max hFE-förstärkning
250
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.625W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.2V
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.15V
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
160V
Tillverkarens märkning
2N5551
Typ av transistor
NPN
Vcbo
180V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec Semiconductor
Minsta kvantitet
10

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för 2N5551