NPN-transistor 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorström: 0.4A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: 1.2GHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 210. Minsta hFE-förstärkning: 70. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Sgs. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:37